IT之家1月17日消息，韩媒IT Chosun昨日报道称，三星电子的第六代10纳米级DRAM内存制程工艺(IT之家注：即1c nm)目前的良率已提升至约60%，突破了量产盈亏平衡点。
此举被视为一项重要里程碑永旺配资端，因为三星电子HBM4内存便基于1c nm DRAM。DRAM Die的更高良率有助于三星在HBM4上获得更多的利润，进一步提升业绩表现。
报道表示，三星电子在1c DRAM上一改近期以良率优先、谨慎推动量产进程的策略，回到了快速进入量产以更积极回应市场动态的传统模式，这有利于从英伟达等重要客户手中赢得订单。
TrendForce集邦咨询此前表示永旺配资端，在规格要求提升、现有HBM3E平台需求旺盛的推动下，HBM内存的量产时间点最快将于2026Q1末到来，三星电子、SK海力士、美光仍有时间精进产品良率表现。
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